🎈 감상문
이과이기는 하지만 공대가 아니다보니 기술에 대한 이해도가 낮아 IT기업에는 투자를 거의 하지 않는다. 그러나 5년째 투자를 하다보니 IT기업 중에도 수익성이 뛰어난 기업들이 보이기 시작했고, 특히 국내 주식 시장은 반도체 기업의 비중이 크다보니 일부 반도체 기업에는 이해도가 크지 않음에도 투자를 하고있다. 그래서 반도체에 대해 공부를 해야겠다는 생각이 들어 책을 찾았는데, 마침 가치투자연구소 카페에서도 자주 보고 유튜브에서도 종종 보는 우황제(필명 hodolry)님의 책이 있어 읽게 되었다.
상당히 어려운 반도체를 정말 쉽게 풀어 써주신 덕분에 재밌게 공부할 수 있었다. p/n형 도핑과 같이 정말 기초적인 내용은 고등학교에서 배웠음에도 불구하고 잊어버리고 있었는데, 읽으면서 어릴 때 공부했던 생각도 나서 좋았다. SiC, GaN 반도체는 많은 기업들이 신사업으로 추진하고 있기 때문에 중요하다는 것은 알고있었지만, 이 책을 통해 왜 중요한지 배울 수 있었다.
책을 읽으면서 이해가 안되는 부분도 많았기 때문에 몇 번이고 반복해서 읽어야 할 것 같다. 이제 반도체에 대해 0.1% 정도 지식을 쌓은 것 같은데, 이 책을 필두로 더 많은 책을 읽으면서 공부해야할 필요성을 느낀다.
📖 핵심 내용
1. 밴드갭이 큰 물질일수록 전자가 원자핵의 구속을 뿌리치고 밖으로 떨어져 나가기 어려우며, 밴드갭이 작은 물질은 전자가 쉽게 구속을 뿌리치고 밖을 자유롭게 돌아다닐 수 있다. 와이드 밴드갭 반도체는 실리콘보다 밴드갭이 큰 반도체 소재, 즉 전자가 원자핵의 구속을 뿌리치기 더욱 어려운 반도체 소재를 의미한다. 실리콘보다 밴드갭이 3배 정도 큰 SiC, GaN은 동일한 구조의 Si 칩보다 무려 10배 이상 높은 전압도 견딜 수 있으며, 칩을 훨씬 얇고 작게 만들어도 Si 칩과 비슷한 수준의 스위치 특성을 구현한다. 발열이 적어 제품 안정성도 뛰어나다.
2. 최외각전자 수가 서로 다른 물질을 인위적으로 주입해서 전기적 특성을 변화시키는 방법을 도핑이라 부른다. 최외각전자가 3개인 불순물을 첨가해 전자가 상대적으로 결핍한 상태를 만들어내는 도핑을 p형 도핑이라 부르며, 최외각전자가 5개인 불순물을 첨가해 자유전자를 만들어내는 도핑을 n형 도핑이라 한다.
3. D램은 캐패시터상에 전하를 축적하며, 1과 0이라는 데이터를 저장한다. 캐패시터는 2개의 금속 사이에 부도체가 놓인 구조를 갖는다. 부도체를 사이에 두고 양 금속에 전압을 걸면 '+'와 '-' 전하들이 도체와 부도체 표면에 정렬된다. 부도체는 이러한 분극 현상을 나타내므로 유전체라고도 부른다.
4. DDR은 반도체 칩 규격과 칩을 실장하는 모듈에 대한 규격으로 나뉜다. 보통 한 세대 진보할 때마다 동작 속도와 용량은 모두 2배 정도 향상돼왔다. 표준이 정해진 첫 해에는 기술력을 과시하기 위한 시제품 중심으로 생산되나, 다음 해에는 서버용 등 고사양 제품의 비중이 늘어나기 시작한다. 2년쯤 지나면 일반 PC용 제품까지 범위가 확대되면서 새로운 규격의 비중이 점점 높아지는데, 이때부터 일반 소비자들은 적극적으로 D램을 교체하기 시작한다.
5. 낸드 플래시는 전자를 가둬 데이터를 저장하는데, D램 캐패시터와 달리 전자가 빠져나갈 수 없는 비휘발성 메모리이다.
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